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J. Phys. Colloques
Volume 42, Number C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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| Page(s) | C7-335 - C7-341 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981741 | |
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-335-C7-341
DOI: 10.1051/jphyscol:1981741
HOT ELECTRON TRANSPORT IN THE Ga1-xAlxAs SYSTEM
G. Hill et P.N. RobsonDepartment of Electronic and Electrical Engineering, The University of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 3JD, United Kingdom
Résumé
La vitesse des électrons dans un champ intense à été étudiée par plusieurs techniques, pour une gamme étendue de compositions Ga1-xAlxAs. Les caractéristiques courant-tension d'échantillons en forme de H ont été mesurées et normalisées, grâce à des mesures de Hall détaillées, et ces résultats comparés aux simulations par la méthode de Monte Carlo. Des informations supplémentaires ont été obtenues sur les diodes à hétérojonction GaAs/Ga1-xAlxAs, opérant dans des conditions limitées de charge d'espace.
Abstract
The high field drift velocity of electrons in Ga1-xAlxAs has been investigated for a wide range of compositions using several techniques. I-V characteristics of H-shaped samples have been measured and normalised using detailed Hall measurements. These results have been compared with Monte Carlo simulations. Further information has been obtained from GaAs/Ga1-xAlxAs heterojunction diodes operated under space-charge limited conditions.