| Issue |
J. Phys. Colloques
Volume 42, Number C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C7-201 - C7-206 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981723 | |
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-201-C7-206
DOI: 10.1051/jphyscol:1981723
HOT CARRIER SPACE AND TIME DEPENDENT TRANSIENTS IN SHORT CHANNEL GALLIUM ARSENIDE DEVICES
H.L. Grubin1, G.J. Iafrate2 et D.K. Ferry31 Scientific Research Associates, Inc. P.O. Box 498, Glastonbury, CT 06033, U.S.A.
2 U.S. Army Electronics Technology and Devices Laboratory, Fort Monmouth, New Jersey, U.S.A.
3 Colorado State University, Fort Collins, Colorado, U.S.A.
Résumé
Nous examinons ici les phénomènes transitoires de transport dans l'arseniure de gallium lorsque les champs varient dans le temps et l'espace avec une vitesse finie. Pour des variations temporelles et des champs uniformes ; l'on montre que le pic de survitesse est sensible au temps de montée de la polarisation. Pour des variations dans l'espace la vitesse moyenne des porteurs est extrêmement sensible aux gradients et quoique l'on puisse obtenir une survitesse, celle-ci est plus faible que celle obtenue dans un champ uniforme.
Abstract
We examine transient carrier transport in gallium arsenide when the fields change temporally and spatially at a finite rate. For temporal changes and uniform fields the peak overshoot velocity is shown to be sensitive to bias rise times. For spatial changes the mean carrier velocity is extremely sensitive to gradients, and while overshoot can occur it is also below the peak uniform field value.