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J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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| Page(s) | C7-73 - C7-94 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981708 | |
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-73-C7-94
DOI: 10.1051/jphyscol:1981708
1 Centre Hyperfréquences et semiconducteurs, LA CNRS N° 287, Bât. P3, Greco micro-onde CNRS N° 11, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France
2 Centre Hyperfréquences et semieonducteurs, LA CNRS N° 287, Bât. P3, Greco micro-onde CNRS N° 11, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-73-C7-94
DOI: 10.1051/jphyscol:1981708
NON STEADY STATE CARRIER TRANSPORT IN SEMICONDUCTOR, APLICATION TO THE MODELLING OF SUBMICRON DEVICES
E. Constant1 et B. Boittiaux21 Centre Hyperfréquences et semiconducteurs, LA CNRS N° 287, Bât. P3, Greco micro-onde CNRS N° 11, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France
2 Centre Hyperfréquences et semieonducteurs, LA CNRS N° 287, Bât. P3, Greco micro-onde CNRS N° 11, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France
Résumé
On se propose ici, d'une part d'étudier quelles sont les nouvelles caractéristiques de la dynamique électronique dans un composant submicronique et d'autre part de décrire de nouvelles méthodes de modélisation qui permettent de les prendre en compte.
Abstract
It is the purpose of this paper to study on the one hand, what new features characterise non steady state carrier transport in sub-micron seciconductor devices, and on the other to suggest and describe new methods of modelling which take these new features into account.