Issue
J. Phys. Colloques
Volume 41, Number C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
Page(s) C5-135 - C5-142
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980524
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors

J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-135-C5-142

DOI: 10.1051/jphyscol:1980524

A3 SOLID STATE CHEMISTRY OF NEW SEMI CONDUCTORS WITH VALENCE INSTABILITIES : TmSe1-xTex AND Tm1-xEuxSe

E. Kaldis et B. Fritzler

Laboratorium für Festkörperphysik, ETHZ, 8093 Zürich, SUISSE.


Résumé
A partir de considérations cristallo-chimiques on a pu modifier l'éclatement de la bande 5 d de TmSe, dû au champ cristallin, par des substitutions, et prévoir l'existence de nouveaux composés ternaires à fluctuation de valence, tels que TmSe1-xTex et Tm1-xEuxSe. En faisant varier x dans l'intervalle 0 < x < 1 il a été possible, pour la première fois, de modifier la valence de Tm, à partir de 3+ jusqu'à 2+. Dans cet intervalle, la structure de bande passe de celle d'un métal à celle d'un semi-conducteur. La variation de l'espace libre dans la maille cristalline de type NaCl, en fonction de la composition apparaît comme un critère utile pour prédire l'existence de composés ternaires ayant ces propriétés. Cette fonction dépend fortement de la variation du volume ionique qu'entraîne la substitution et semble influer sur les défauts structuraux et les instabilités de valence du matériau. La mise en évidence expérimentale de ce qui précède est faite par les variations de dimensions de maille et de densité mesurées en fonction de la composition. L'étude du diagramme de phase de TmSe1-xTex montre que, comme dans le cas de TmSe, une transformation de phase a lieu à 1600-1700° C. D'autres matériaux susceptibles de présenter des instabilités de valence sont : Tm1-xSmxSe, Tm1-x Ybx Se, Tm1-xSrxSe, Tm1-x Bax Se, Tm1-x Cax Se, pourvu qu'ils forment des séries de cristaux mixtes.


Abstract
Crystal chemical considerations are used to change the crystal field splitting of the 5d band of TmSe by alloying and to design new ternary materials with valence fluctuations like TmSe1-xTex and Tm1-xEuxSe. By varying x in the range 0 < x < 1 it is possible to change the valence of Tm, for the first time, all the way between +3 and +2. In this way the band structure changes from that of a metal to that of a semiconductor. The change of the free space in the NaCl-lattice cell as a function of composition appears to be a useful criterion for the design of such new ternary materials. This function is strongly dependent on the change of the ionic volume caused by the substitution and it seems to influence defect structure and valence instability of the material. Experimental evidence for the above is given from the cell dimensions and densities measured as a function of composition. The phase diagram study of TmSe1-xTex shows that like in TmSe a phase transition takes place at 1600 - 1700° C. Other materials which may possibly show valence instabilities are Tm1-xSmxSe, Tm1-xYbxSe, Tm1-xSrxSe, Tm1-xBaxSe and Tm1-xCaxSe, provided that they form mixed crystal series.