Issue
J. Phys. Colloques
Volume 41, Number C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
Page(s) C5-75 - C5-86
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980515
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors

J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-75-C5-86

DOI: 10.1051/jphyscol:1980515

CRITICAL BEHAVIOR OF THE ELECTPONIC PROPERTIES OF MAGNETIC SEMICONDUCTORS, I, THEORY

I. Balberg

The Racah Institute of Physics, The Hebrew University, Jerusalem, Israel.


Résumé
L'ordre magnétique a un effet remarquable sur les propriétés de transport aussi bien que sur les propriétés optiques des semiconducteurs magnétiques. En particulier il a été prouvé qu'en approchant de la température critique, Tc, le comportement de ces propriétés a un caractère universel. La variation de ces propriétés en fonction de la température aux environs de Tc fait l'objet du présent article. Les théories récentes du comportement dans cette région critique, aussi bien pour le cas limite des intéractions faibles (s-d) que pour le cas des intéractions fortes (d-d) sont passées en revue. Des mesures récentes, à haute précision, du comportement critique de la résistivité et du seuil d'absorption optique dans divers semiconducteurs ferromagnétiques et antiferromagnétiques confirment les prédictions faites par ces théories. Ces résultats expérimentaux seront présentés dans une publication ultérieure.


Abstract
Magnetic ordering has a remarkable effect on the transport and optical properties of magnetic semiconductors. In particular, close to the critical temperature, Tc, some universal features of these properties are found. The temperature dependence of these properties close to Tc is the subject of this paper. A review of the recent theories of this critical behavior is given for both the weak (s-d) and the strong (d-d) interaction limits. Recent high precision measurements of the critical behavior of the resistivity and the optical absorption edge in various ferromagnetic and antiferromagnetic semiconductors confirm the predictions made. These experimental results will be described in a following paper.