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J. Phys. Colloques
Volume 41, Number C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
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| Page(s) | C5-59 - C5-63 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980511 | |
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-59-C5-63
DOI: 10.1051/jphyscol:1980511
SEMICONDUCTOR-METAL TRANSITIONS IN TmSe-TmTe AND TmSe-EuSe
B. Batlogg1, 2 et P. Wachter11 Laboratorium für Festkörperphysik ETH 8093 Zürich, SUISSE.
2 Bell Laboratories, Murray Hill, NJ 07974 USA.
Résumé
Une transition de semiconducteur à métal (SMT) a lieu soit en fonction de la composition ou de la pression externe dans les composés pseudobinaires TmSe-TmTe et TmSe-EuSe. La transition est causée par la délocalisation des électrons de la couche 4f13 du Tm divalent dans la bande de conduction 5d. La configuration divalente (4f7) des ions Eu est plus stable, et donc n'intervient pas dans la SMT. On observe une similarité frappante entre la SMT dans TmSe1-x Tex en fonction de x et la SMT induite par pression dans SmS, et il est suggéré qu'une combinaison particulière des paramètres électroniques et élastiques est le facteur déterminant l'ordre de transition.
Abstract
A semiconductor to metal transition (SMT) occurs either as a function of composition or external pressure in the TmSe-TmTe and TmSe-EuSe pseudobinary compounds. The transition is caused by the delocalization of electrons from the 4f13 shell of divalent Tm into the 5d conduction band. The divalent configuration (4f7) of the Eu ions is more stable and therefore is not involved in the SMT. A striking similarity between the SMT in TmSe1-xTex as a function of x and the pressure induced SMT in SmS is observed and it is suggested that a particular combination of the electronic and elastic parameters is the factor determining the order of transition.