EFFECT OF DISORDER AND LONG RANGE STRAIN FIELD ON THE ELECTRON STATES

Résumé
Les dislocations causent un champ de contrainte qui affecte les électrons. Dans des semiconducteurs covalents comme Ge et Si des états faiblement localisés sont créés avec des niveaux d'énergie près des bords des bandes. On peut montrer cela théoriquement en traitant le champ de contrainte séparé du noyau de la dislocation en utilisant une équation de masse effective.

Abstract
Dislocations give rise to strain fields that affect the electrons. In covalent semiconductors like Ge and Si weakly localized states are created with energy levels near the band edges. This is shown theoretically by treating the strain field separate from the dislocation core using an effective mass equation.