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J. Phys. Colloques
Volume 40, Number C5, Mai 1979
Colloque International du C.N.R.S.La Physique des Terres Rares à l'Etat Métallique / Physics of Metallic Rare-Earths |
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| Page(s) | C5-346 - C5-347 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19795120 | |
La Physique des Terres Rares à l'Etat Métallique / Physics of Metallic Rare-Earths
J. Phys. Colloques 40 (1979) C5-346-C5-347
DOI: 10.1051/jphyscol:19795120
Electronic structure of Sm surface studied by synchrotron-radiation-excited-photoelectron spectroscopies
J.W. Allen1, L.I. Johansson2, R.S. Bauer1, T. Gustafsson1, I. Lindau2 et S.B.M. Hagström11 Xerox Palo Alto Research Center, Palo Alto, Ca 94304, U.S.A.
2 Stanford Synchrotron Radiation Lab, Stanford, Ca 94305, U.S.A.
Résumé
Nous avons utilisé le rayonnement synchrotron entre 50 et 250 eV pour faire des mesures photoélectriques de grande sensibilité de surface pour Sm. Pour les photons de 150 eV, la distribution d'énergie des électrons de la bande de valence montre les caractéristiques aussi bien de 4f5 que de 4f6. Si l'absorption optique correspondant à la transition 4d → 4f est déterminée par le spectre du rendement photoélectrique (avec l'énergie de l'état initial fixé dans la structure 4f6) le résultat diffère remarquablement de celui obtenu pour l'absorption 4d10 4f5 → 4d9 4f6 intervenant en le volume. Nous attribuons le nouveau spectre à la presence à la surface d'atomes de Sm 4f6, permettant une transition 4d10 4f6 → 4d9 4f7.
Abstract
We have utilized synchrotron radiation in the 50-250 eV range to make surface sensitive photoelectron measurements on Sm. For 150 eV photons the valence band photoelectron energy distribution shows both 4f5 and 4f6 structure. By constant initial state photoelectron yield spectroscopy we have measured separately the 4d → 4f photon absorption of 4f5 and 4f6 surface Sm atoms (see résumé).