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J. Phys. Colloques
Volume 40, Number C2, Mars 1979
International Conference on The Applications of The Mössbauer Effect
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| Page(s) | C2-573 - C2-575 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19792200 | |
International Conference on The Applications of The Mössbauer Effect
J. Phys. Colloques 40 (1979) C2-573-C2-575
DOI: 10.1051/jphyscol:19792200
1 On leave from Central Research Institute for Physics, Budapest, Hungary.
2 Institut voor Kern-en Stralingsfysika, University of Leuven, B-3030 Leuven, Belgium
J. Phys. Colloques 40 (1979) C2-573-C2-575
DOI: 10.1051/jphyscol:19792200
THE ISOMER SHIFT VALUES OF IMPLANTED /133Xe/133Cs IN VARIOUS HOSTS
I. Dézsi1, R. Coussement2, G. Langouche2, H. Pattyn2, S. Reintsema2, M. Van Rossum2 and J. De bruyn21 On leave from Central Research Institute for Physics, Budapest, Hungary.
2 Institut voor Kern-en Stralingsfysika, University of Leuven, B-3030 Leuven, Belgium
Résumé
Les valeurs du déplacement isomérique de 133Cs implanté dans le graphite diamant, Te, Si, Ge, Cu, Zn, Mo, W couvrent un domaine plus étendu que celui correspondant au Cs et aux composés du Cs. L'extension vers les valeurs plus grandes peut s'expliquer par l'accroissement de la densité électronique causée par la compression de l'atome implanté.
Abstract
The isomer shift values of 133Cs implanted in graphite, diamond, Te, Si, Ge, Cu, Zn, Mo, and W are found in a larger interval than those found in Cs and Cs-compounds. The extension to larger values are explained by the increase of electron densities due to the compression of the oversized implanted atom.