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J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C2, Mars 1979
International Conference on The Applications of The Mössbauer Effect
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| Page(s) | C2-547 - C2-548 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19792189 | |
International Conference on The Applications of The Mössbauer Effect
J. Phys. Colloques 40 (1979) C2-547-C2-548
DOI: 10.1051/jphyscol:19792189
1 Institut voor Kern- en Stralingsfysika, University of Leuven, Physics Department, 3030 Leuven, Belgium
2 On leave from the Central Research Institute for Physics, Budapest, Hungary.
J. Phys. Colloques 40 (1979) C2-547-C2-548
DOI: 10.1051/jphyscol:19792189
MÖSSBAUER STUDY OF 57Co IMPLANTED IN SILICON AND GERMANIUM
G. Langouche1, I. Dezsi2, J. De bruyn1, M. Van Rossum1 and R. Coussement11 Institut voor Kern- en Stralingsfysika, University of Leuven, Physics Department, 3030 Leuven, Belgium
2 On leave from the Central Research Institute for Physics, Budapest, Hungary.
Résumé
Des expériences dans des grands champs externes montrent que le doublet observé dans les spectres Mössbauer du 57Fe dans Si et Ge, produit par implantation d'ions à une dose de 1014 ou plus, est dû à l'interaction quadrupolaire. Dans les doses d'implantation plus faibles on remarque une nette dépendance de cette dose. Des effets prononcés d'annihilation thermique seront discutés.
Abstract
Experiments in large external fields show that the doublet observed in the Mössbauer spectra of 57Fe in Si and Ge, obtained by ion implantation to a dose of 1014 or higher is due to quadrupole interaction. At lower implantation doses a remarkable dose dependence was observed. Some pronounced thermal annealing effects will also be discussed.