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J. Phys. Colloques
Volume 39, Number C2, Juin 1978
CONGRÈS DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUEDéfauts de structure dans les solides non métalliques Physique des polymères non cristallins Phénomènes de Transport dans les solides : Nouvelles orientations et progrès récents |
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| Page(s) | C2-22 - C2-24 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1978204 | |
CONGRÈS DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUE
Défauts de structure dans les solides non métalliques
Physique des polymères non cristallins
Phénomènes de Transport dans les solides :
Nouvelles orientations et progrès récents
J. Phys. Colloques 39 (1978) C2-22-C2-24
DOI: 10.1051/jphyscol:1978204
Laboratoire Central de Recherches Thomson-C.S.F., B.P. 10, 91401 Orsay, France
Défauts de structure dans les solides non métalliques
Physique des polymères non cristallins
Phénomènes de Transport dans les solides :
Nouvelles orientations et progrès récents
J. Phys. Colloques 39 (1978) C2-22-C2-24
DOI: 10.1051/jphyscol:1978204
DÉFAUTS DANS LES SEMICONDUCTEURS AMORPHES : EXEMPLE DU SILICIUM
D. KAPLANLaboratoire Central de Recherches Thomson-C.S.F., B.P. 10, 91401 Orsay, France
Résumé
L'absence d'une structure idéale de référence rend ambiguë la notion de défaut de structure dans un semiconducteur amorphe. Deux notions simples sont envisagées : fluctuations à caractère macroscopique (ex. : pores) et défauts de coordination chimique (liaison brisée). On discute l'évolution des idées sur les défauts dans le silicium amorphe par référence à ces deux notions.
Abstract
Defects in amorphous semiconductors are difficult to define precisely because of the absence of an ideal reference structure. Two simple notions may be put forward : macroscopic fluctuations (e.g. voids) and defects in chemical bonding (e.g. dangling bonds). We discuss various points of vue concerning amorphous silicon in relation to these two notions.