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J. Phys. Colloques
Volume 37, Number C6, Décembre 1976
International Conference on the Applications of the Mössbauer Effect / Conférence Internationale sur les Applications de l'Effet Mössbauer
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Page(s) | C6-371 - C6-375 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1976669 |
J. Phys. Colloques 37 (1976) C6-371-C6-375
DOI: 10.1051/jphyscol:1976669
CHARACTER OF THE CHARGE DENSITY DISTRIBUTION SURROUNDING IMPURITIES IN GOLD METAL
P. G. HURAY1, 2, C. M. TUNG1, 2, F. E. OBENSHAIN1, 2 and J. O. THOMSON1, 21 University of Tennesse, Knoxville, Tennesse 37916, U.S.A.
2 Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, Tennessee 38830, U.S.A.
Résumé
Les mesures Mössbauer du déplacement isomérique de 197Au dans des solutions solides à 1, 2, 3, 4 pour cent atomique de Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Ag, Cd, In, Sn et Sb dans de l'or de grande pureté ont été extrapolées à 0 pour cent atomique pour déterminer l'influence des impuretés isolées sur la bande électronique de conduction de l'or. L'écran formé par le nuage électronique présent autour des impuretés modifie en valeur relative la densité de charge électronique au noyau d'or voisin (distant de rj), de la quantité ΔρSe(rj)/ρAu(0). Nous avons mesuré cet effet grâce à la différence de déplacement isomérique dans les alliages cités, et donc obtenu [MATH]. Nous avons analysé le caractère de cette distribution de charge à l'aide du traitement de perturbations de Friedel, les paramètres étant des puits de potentiel carrés. De plus, nous avons mesuré la résistivité électrique résiduelle, la variation du paramètre de réseau moyen, et avons pris les spins atomiques des impuretés égaux à (a) S = 0, (b) S = S4,2 K, pour obtenir un ensemble de quatre expressions simultanées faisant intervenir les déphasages. En résolvant ces équations, nous avons obtenu un ensemble cohérent de déphasages en perturbation δl,σ(KF) de profondeurs de puits, et les charges d'écran associées dans l'hypothèse où δ0, δ1, δ2↑ et δ2↓ sont les termes prépondérants.
Abstract
Mössbauer isomer shift measurements of 197Au for nominally, 1, 2, 3 and 4 atomic percent solid solutions of Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Ag, Cd, In, Sn, and Sb with high purity gold have been extrapolated to 0 atomic percent to determine the influence of single impurities upon the electron conduction band of gold. The screening cloud of electrons distributed about the impurities fractionally change the électron charge density at neighboring gold nuclei (rj away) by an amount ΔρSe(rj)/ρAu(0). We have measured this effect through the differential isomer shift for the alloys listed and have thereby determined [MATH]. The character of this charge distribution has been analyzed through the Friedel perturbation treatment and para-meterized by square well potentials. We have additionally measured the residual electrical resistivity, the average lattice parameter change, and have taken the impurity atomic spins (a) S = 0 and (b) S = S4.2 K, to deduce a set of four simultaneous expressions in terms of the phase shifts. The equations have been solved to obtain a consistent set of perturbation phase shifts δl,σ(kF), well depths, and their associated screening charge with the assumptions that δ0, δ1, δ2↑ and δ2↓ are the dominent terms.