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J. Phys. Colloques
Volume 35, Number C6, Décembre 1974
International Conference on the Applications of the Mössbauer Effect
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| Page(s) | C6-433 - C6-436 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974686 | |
International Conference on the Applications of the Mössbauer Effect
J. Phys. Colloques 35 (1974) C6-433-C6-436
DOI: 10.1051/jphyscol:1974686
Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud, 91405 Orsay, France
J. Phys. Colloques 35 (1974) C6-433-C6-436
DOI: 10.1051/jphyscol:1974686
APPLICATION OF HIRST'S THEORY TO PHONON RELAXATION ; MÖSSBAUER LINESHAPE IN THE PRESENCE OF RELAXATION BETWEEN TWO ELECTRONIC KRAMERS DOUBLETS
C. CHOPIN, F. HARTMANN-BOUTRON and D. SPANJAARDLaboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud, 91405 Orsay, France
Résumé
Nous examinons dans quelles conditions la théorie de relaxation de Hirst peut être appliquée de manière simple aux processus de relaxation par les phonons (hypothèse du spectre blanc, symétrie locale élevée). Nous étudions ensuite l'influence, sur la forme de raie Mössbauer, des processus de relaxation du type Orbach, qui mettent en jeu des niveaux intermédiaires réels.
Abstract
We investigate the conditions under which Hirst's relaxation theory can be applied in a simple way to phonon relaxation processes (white spectrum approximation, high local symmetry). We then study the influence, on the Mössbauer lineshape, of the Orbach type relaxation processes, which involve real intermediate states.