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J. Phys. Colloques
Volume 35, Number C6, Décembre 1974
International Conference on the Applications of the Mössbauer Effect
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| Page(s) | C6-297 - C6-300 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974646 | |
J. Phys. Colloques 35 (1974) C6-297-C6-300
DOI: 10.1051/jphyscol:1974646
MÖSSBAUER AND CHANNELING STUDIES ON 119Te, 119Sb AND 119Sn IMPLANTS IN GROUP-IV ELEMENTS
G. WEYER1, B. I. DEUTCH2, A. NYLANDSTED-LARSEN2, J. U. ANDERSEN2 and H. L. NIELSEN21 Institut für Atom- und Festkörperphysik, Freie Universität Berlin, D-1000 Berlin 33
2 Institute of Physics, University of Aarhus, Denmark
Résumé
Le processus d'implantation d'ions Te, Sb et Sn implantés à l'aide d'un séparateur d'isotopes dans des monocristaux des éléments du groupe IV (diamant, silicium et germanium), a été étudié par spectroscopie Mössbauer à l'aide de la transition de 24 keV de 119Sn ainsi que par des mesures complémentaires de canalisation. 119mSn (245 j), 119mTe (4,7 j) et 119Sb (38 h) ont été implantés à des énergies de 60 keV, des doses de 1013 à 1017 atomes/cm2 et des températures de 20 à 450 °C. Une grande proportion des isotopes sont implantés en substitution dans tous les cas. On discute la nature et la position possible d'un second site, observé dans certaines expériences.
Abstract
The implantation behaviour of isotope-separator implanted Te, Sb, and Sn in single crystals of group-IV elements (diamond, silicon, and germanium) has been studied in Mössbauer experiments on the 24-keV transition of 119Sn and in complementing channeling experiments. Radioactive 119mSn (245 d), 119mTe (4.7 d), and 119Sb (38 h) was implanted at energies of 60 keV, doses of 1013-1017 atoms/cm2, and temperatures of 20-450 °C. Large substitutional fractions are identified for all implantations. The nature and possible position of a second site observed in some implantations is discussed.