LE TENSEUR DE LA CONSTANTE DIÉLECTRIQUE (ENTRE 3 ET 35 eV) DÉTERMINÉ A L'AIDE DES PERTES D'ÉNERGIE : APPLICATION A QUELQUES CHALCOGÉNURES LAMELLAIRES

Résumé
Le tenseur de la constante diélectrique complexe des cristaux anisotropes peut être obtenu dans l'ultraviolet lointain (3-35 eV) soit à partir de la mesure des pertes d'énergie caractéristiques soit à partir de la mesure du pouvoir réflecteur. Après avoir brièvement signalé l'intérêt respectif de ces deux techniques et tenté d'expliquer certains écarts expérimentaux, nous appliquons la méthode électronique à l'étude de semiconducteurs lamellaires : uniaxes (GaS-GaSe(β)- InSe) et biaxe (As₂S₃). Les résultats expérimentaux révèlent d'une part, une anisotropie pour ces composés comparable à celle du MoS₂ (et donc nettement moins marquée que celle observée dans d'autres corps lamellaires tels que le graphite et le nitrure de bore) et d'autre part, l'existence de deux groupes assez distincts de transitions interbandes.

Abstract
One can get dielectric constant tensor in the vacuum UV range - 3 to 35 eV - either by electron energy loss experiment or by optical reflectance measurement. Trying to explain some discrepiancies between these two techniques, we discuss the interest of each of them and we apply the electronic method to study some lamellar semiconductors crystals : uniaxial (GaS-Gase(β)-InSe) and biaxial (AS₂S₃). Anisotropy of these compounds is of MoS₂ type and weakest than these of graphite and boron nitride. Experimental results show two groups of interband transitions.