AN INFLUENCE OF DOPING ON THE KINETICS OF BPSG DEPOSITION PROCESS AND THE PROPERTIES OF THE DEPOSITED LAYER

Résumé
Parmi les différentes méthodes de planarisation, le dépôt chimique de BPSG suivi de recuit a été largement reconnu pour les applications des circuits à très haute intégration. On présente dans cette communication une analyse de l'influence du dopage sur la cinétique de dépôt de BPSG sous pression atmosphérique. Quelques propriétés de couches sont évoquées. Le but de cette étude est l'optimisation ultérieure du procédé. A partir de l'étude précédemment publiée sur SiO₂, l'influence du dopage a été considérée. En conclusion, le procédé de dépôt de BPSG devrait être effectué à relativement basse température avec un rapport O₂/SiH₄ élevé. L'optimisation de l'uniformité du flux gazeux à une grande importance.

Abstract
From among different planarization methods, BPSG deposition and reflow has been widely accepted in the case of shallow junction VLSI technology. In this paper an analysis of influence of doping on the kinetics of atmospheric pressure BPSG deposition process and some properties of the deposited layer is presented. The aim of this study is to optimize the process from the point of view of subsequent processing results and yield. Starting the study with the model of SiO₂ deposition described elsewhere, the influence of doping was considered. As a result, it was concluded that the BPSG deposition process should be perfomed at rather low temperature and high oxygen to silane ratio. Besides, optimization of gas flow uniformity is of great importance.