LASER SCANNING TOMOGRAPHY : A NON DESTRUCTIVE QUALIFICATION TEST FOR SEMICONDUCTORS

Résumé
Parmi les différentes méthodes de caractérisation des défauts dans les wafers de semiconducteur, les techniques par infra rouge doivent être remarquées pour leur caractère parfaitement non destructif. Le développement récent de la tomographie laser à balayage permet d'abtenir des images de haute résolution des dislocations décorées et des microprécipités. L'exploration du matériau dans les trois dimensions est réalisée avec une grande précision jusque dans le voisinage immédiat des zones actives des composants. On étudie l'observation des micro défauts et particulièrement les substrats GaAs de différentes natures. Des images à l'échelle microscopique révèlent des précipités de taille bien inférieure à la limite de diffraction optique. D'autres résultats ont aussi été obtenus sur InP, CdTe ou Si ; la plus part des semiconducteurs classiques peuvent être analysés par tomographie laser à balayage ce qui fait de cette méthode un outil précieux d'investigation.

Abstract
Among the various physical approaches of the semiconductor wafer defect characterization a special attention is to be payed to the infra red imaging techniques which are prefectly non destructive. Recent developement of the Laser Scanning Tomography will be emphasized because it gives highly resolved images of decorated dislocations and microprecipitates . Three dimensional exploration of the material is allowed with a large accuracy and possibly close to the active regions of the circuits. Observation of micro defects are reviewed , especially concerning GaAs materials of various origins and constitutions. Microscale images enable us to reveal very small scatterers even if their size is much smaller than the optical diffraction limit. Results obtained on other semi conductors such as InP, CdTe or Si will also be reviewed ; most of the conventional semiconductors are relevant to this powerful technique which is a unique means of investigation.