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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-325 - C4-328 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988468 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-325-C4-328
DOI: 10.1051/jphyscol:1988468
CHARACTERIZATION OF AN AlGaAs/GaAs METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTOR
M. ZIRNGIBL, R. SACHOT et M. ILEGEMSInstitut de Micro- and Optoélectronique, Swiss Federal Institute of Technology, CH-1015 Lausanne, Switzerland
Résumé
Nous reportons la caractérisation d'un photodétecteur métal-semiconducteur-métal en fonction de sa géometrie, de la tension appliquée et de la puissance optique incidente. De l'oxyde d'étain et d'indium (ITO) est déposé sur des substrats GaAs et des couches MBE afin de définir les contacts Schottky interdigités qui forment la surface active. Les détecteurs montrent une efficacité quantique externe élevée et une réponse rapide (temps de montée < 70 ps, largeur à mi-hauteur < 185 ps).
Abstract
The characteristics of metal-semiconductor-metal photodetectors as a function of layout geometry, applied voltage and optical input power are reported. The structures are fabricated using interdigitated indium tin oxide Schottky contacts deposited by sputtering on GaAs substrates and MBE-layers to form the active area. The detectors show high external quantum efficency and fast response (risetime < 70 ps, FWHM < 185 ps).