ELIMINATION OF TWINNING IN MOLECULAR BEAM EPITAXY OF GaAs/Si and GaAs/INSULATOR

Résumé
Nous présentons une étude de la nucléation de GaAs sur des surfaces (100) de Si et de (Ca, Sr) F₂ montrant qu'une croissance 2D peut être obtenue pour des dépôts très fins ( 15 A°) réalisés à basse température (25-100°C). La stoechiométrie du dépôt est obtenue en augmentant la température jusqu'à 300-400°C ce qui conduit, en même temps, à la cristallisation de la couche. Le diagramme de diffraction électronique met en évidence l'absence de micromacles et l'obtention d'une surface plane au niveau atomique. La procédure proposée ouvre la voie à l'utilisation de techniques basse température pour l'élaboration de structures co-intégrées associant GaAs et Si.

Abstract
We present a study of GaAs nucleation on Si and (Ca, Sr)F₂(100) surfaces which shows that a 2D growth can be achieved for very thin (15 A°) deposits obtained at low temperature (25-100°C). Raising the temperature to 300-400°C leads to a stoichiometric and monocrystalline layer. Electron diffraction shows a diagram without twin spots and a surface devoid of noticeable roughness. The proposed procedure paves the way for the subsequent use of low temperature techniques aimed at the fabrication of co-integrated structures associating GaAs and Si.