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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-563 - C4-566 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884118 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-563-C4-566
DOI: 10.1051/jphyscol:19884118
AVALANCHE AND TUNNELING BREAKDOWN MECHANISMS IN HEMT'S POWER STRUCTURES
Y. CROSNIER, F. TEMCAMANI, D. LIPPENS et G. SALMERCentre Hyperfréquences et Semiconducteurs, CNRS-UA 287, Université des Sciences et Techniques de Lille Flandres Artois, F-59655 Villeneuve-d'Ascq Cedex, France
Résumé
Cet article expose une étude sur le phénomène de claquage dans les HEMTs de puissance AlGaAs/GaAs. Il fait usage, d'une part, de résultats expérimentaux obtenus sur différents composants test et, d'autre part, de modélisations prenant en compte soit l'ionization soit l'effet tunnel. Cette approche apporte une nouvelle compréhension sur les rôles respectifs de ces deux effets dans le declenchement du claquage et permet de définir des règles de construction.
Abstract
The present paper reports a study on the breakdown phenomenon in AlGaAs/GaAs power HEMT'S. It uses, on one hand, experimental results carried out on various test devices and, on the other hand, modeling taking into account either ionization or tunneling effects. Such an approach gives a new understanding on the respective roles of these two effects in the breakdown occurrence and allows to define design rules.