SOI TECHNOLOGIES : THEIR PAST, PRESENT AND FUTURE

Résumé
Les technologies de réalisation de silicium sur isolant (SOI) sont sommairement décrites avec quelques propriétés spécifiques. La réalisation de SOI ne requiert pas seulement un silicium parfaitement réalisé mais aussi des couches adjacentes non perturbées par l'action de la recristallisation et un substrat qui est resté en bon état. Les problèmes expérimentaux établis par les techniques SOI sont indiqués et discutés. Le passé, le présent et l'avenir de SOI seront évalués sans vouloir être complet.

Abstract
Technologies applied for silicon on insulator (SOI) are briefly described as well as their specific properties. Conditions of realizing SOI not only imply obtaining a perfect monocrystalline silicon layer but also an undamaged stack of (SOI) layers and a defect-free substrate. Technological problems encountered by applying the various SOI techniques are described and discussed in some detail. Past, present and future of SOI will be evaluated in some aspects.