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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-281 - C5-284 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987561 | |
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-281-C5-284
DOI: 10.1051/jphyscol:1987561
SWITCHING SPEED ENHANCEMENT OF NOVEL SUPERLATTICE GaAs PIN DIODES
Z. HATZOPOULOS1, 2, A. GEORGAKILAS1, 2 et A. CHRISTOU31 Research Center of Crete, Iraklion, Crete, Greece
2 Physics Department, University of Crete, Iraklion 71001 Crete, Greece
3 Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, U.S.A.
Résumé
Des diodes PIN avec faible resistance en direct ont été fabriquées en utilisant un super-réseau de AsGa déposée per epitaxie par jet moleculaire. La performance statique de ces diodes montées en shunt en interrupteur demicroruban indique que les pertes d'insertion a 9,3 GHz sont plus faibles que celles de diodes similaires en AsGa. Des expériences dynamiques indiquent une vitesse et puissance de ces interrupteurs supérieure à celles de diodes PIN de AsGa et de Si.
Abstract
GaAs superlattice PIN diodes with low forward resistance have been successfully fabricated using Molecular beam epitaxy. Static performance data for shunt mounted chips in a microstrip switch show a lower insertion loss at 9.3 GHz over similar GaAs PIN diodes without the superlattice region. Dynamic switching experiments show both a switching speed and switching power advantage of GaAs superlattice PIN diodes over both GaAs and silicon PIN diodes.