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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-507 - C5-510 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19875108 | |
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-507-C5-510
DOI: 10.1051/jphyscol:19875108
DETERMINATION OF BINDING ENERGIES AND WAVE FUNCTIONS IN QUANTUM WELLS FROM RAMAN RESONANCE CROSS SECTION MEASUREMENTS
T. SUEMOTO1, G. FASOL2 et K. PLOOG31 Tohoku University, Sendai 980, Japan
2 Cavendish Laboratory, Madingley Road, GB-Cambridge CB3 0HE, Great-Britain
3 Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstrasse 1, D-7000 Stuttgart 80, F.R.G.
Résumé
Nous étudions l'intensité de l'effet Raman du phonon LO et de l'excitation inter-sousbande des trous en fonction de l'énergie du laser, pour des puits quantiques AlAs - GaAs - AlGaAs à dopage p modulé. Les profils de résonance montrent des maximums prononcés aux énergies où se trouvent les excitations électroniques des puits. Nous montrons que les énergies des résonances Raman sont directement liées aux niveaux d'énergie des électrons dans les puits de la bande de conduction. Nous étudions des puits ayant des épaisseurs allant jusqut'à 745 Å. Ainsi nous déterminons l'énergie des états électroniques dans les puits de la bande de conduction, jusqu'à n = 18. Nous mesurons ainsi la nonparabolicité de la bande de conduction. Les intensités des signaux Raman aux maximums de résonance sont modulées par une fonction d'enveloppe qui est liée à l'intégrale de couvrage entre la fonction d'onde du trou et de l'électron. Ainsi nous déterminons les composantes de la séries Fourier de la fonction d'onde des trous en fonction des fonctions d'onde des électrons.
Abstract
We study the resonance profiles of LO phonon and hole intersubband Raman signals from p-type modulation doped AlAs - GaAs - AlGaAs quantum wells. The resonance profiles show very pronounced sharp peaks at electronic resonance energies. We show that the energies at which the Raman resonances occur are directly related to the electron subband energies in the conduction band well. We study quantum wells which are up to 745 Å wide. We determine the binding energy of bound levels in the conduction band well up to n = 18. We determine the conduction band nonparabolicity experimentally. The intensity at the Raman resonance peaks is modulated by an envelope function which is related to the overlap integral of the electron and the hole wavefunction. Thus we determine the Fourier components of the hole wavefunction in terms of the conduction band wavefunctions.