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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-491 - C5-494 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19875104 | |
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-491-C5-494
DOI: 10.1051/jphyscol:19875104
1 GES-USTL, Place Eugène Bataillon, F-34060 Montpellier Cedex, France
2 SNCI-CNRS, 166X , F-38042 Grenoble Cedex, France
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-491-C5-494
DOI: 10.1051/jphyscol:19875104
THE QUANTUM HALL EFFECT : TRANSFER OF ELECTRONS AND LOCALIZATION
A. RAYMOND1 et K. KARRAI21 GES-USTL, Place Eugène Bataillon, F-34060 Montpellier Cedex, France
2 SNCI-CNRS, 166X , F-38042 Grenoble Cedex, France
Résumé
Nous proposons un modèle dans lequel la densité totale Ns d'électrons mobiles 2D doit varier pour répondre à la statistique. En supposant que ρxy = B/NSe, le modèle permet de rendre compte de la largeur et de la forme des marches de l'effet Hall quantique pour toutes les hétérojonctions GaAs-GaAlAs étudiées et ce à toutes températures.
Abstract
A model is proposed in which the total density Ns of mobile 2D electrons must change in order to obey the statistics. Assuming that ρxy = B/NSe, we account for the width and shape of the Hall steps for all the investigated GaAs-GaAlAs heterostructures whatever the temperature may be.