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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C9, Décembre 1984
31st International Field Emission Symposium / 31ème Symposium International d'Emission de Champ
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| Page(s) | C9-263 - C6-264 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984944 | |
31st International Field Emission Symposium / 31ème Symposium International d'Emission de Champ
J. Phys. Colloques 45 (1984) C9-263-C6-264
DOI: 10.1051/jphyscol:1984944
Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellsechaft, Faradayweg 4-6, D-1000 Berlin 33, F.R.G.
J. Phys. Colloques 45 (1984) C9-263-C6-264
DOI: 10.1051/jphyscol:1984944
FIELD ION APPEARANCE SPECTROSCOPY AT SILICON SURFACES
W.A. Schmidt, M.F. Lovisa et J.H. BlockFritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellsechaft, Faradayweg 4-6, D-1000 Berlin 33, F.R.G.
Résumé
Nous présentons des distributions énergétiques intégrales d'ions obtenus par émission de champ à partir de surfaces de silicium au moyen de gaz nobles et d'hydrogène. Nous analysons à partir des résultats, le processus d'émission de champ ionique en tenant compte de la structure de bande de surface du silicium
Résumé
We present field ion integral energy distributions for noble gases and hydrogen obtained at silicon surfaces. From the results we analyse the field ionization process with respect to the surface-band structure of silicon.