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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C5, Avril 1984
International Conference on the Dynamics of Interfaces / Conférence Internationale sur la Dynamique des Interfaces
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| Page(s) | C5-249 - C5-253 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984537 | |
J. Phys. Colloques 45 (1984) C5-249-C5-253
DOI: 10.1051/jphyscol:1984537
APPLICATION OF RAMAN SCATTERING EXCITED IN CONDITION OF TOTAL REFLECTION (RSTR) TO THE STUDY OF SURFACE PHENOMENA IN CRYSTALS
G. Mattei, B. Fornari, M. Pagannone et L. MattioliConsiglio Nazionale delle Ricerche, Area della Ricerca di Rorna, Ist. M.A.I., C.P. 10, 00016 Monterotondo Scalo (Roma), Italy
Résumé
On discute les aspects généraux de la diffusion Raman excitée en condition de réflection totale (RSTR) avec une attention spéciale pour les traits particuliers du RSTR (profondeur de pénétration, efficacité Raman et sa dépendance angulaire, etc.) qui sont significatifs dans l'étude des phénomènes qui interviennent aux interfaces. On donne aussi les résultats expérimentaux regardant l'application du RSTR à l'étude de la dispersion des polaritons de surface à l'interface entre deux milieux transparents.
Abstract
The general aspects of Raman Scattering excited in condition of Total Reflection (RSTR) are discussed with special emphasis on the peculiar features of the RSTR (penetration depth, Raman efficiency and its angular dependence, etc.) that are relevant in the study of phenomena occurring at interfaces. Experimental results regarding the application of RSTR to the study of surface polariton dispersion at the interface between two transparent media are also reported.