| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-709 - C2-712 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19842164 | |
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-709-C2-712
DOI: 10.1051/jphyscol:19842164
1 Laboratoire d'Optique Electronique du CNRS, B.P. 4347, 31055 Toulouse Cedex, France
2 Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud, Bât. 510, 91405 Orsay Cedex, France
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-709-C2-712
DOI: 10.1051/jphyscol:19842164
EELS ANALYSIS OF A PRECIPITATE IN V3Si BY STEM AND HVEM
A. Ben Lamine1, F. Reynaud1, C. Colliex2, M. Acheche2, J. Sevely1 et Y. Kihn11 Laboratoire d'Optique Electronique du CNRS, B.P. 4347, 31055 Toulouse Cedex, France
2 Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud, Bât. 510, 91405 Orsay Cedex, France
Résumé
Nous avons effectué l'analyse d'un précipité dans V3Si (structure A15) par spectroscopie de pertes d'énergie en microscopie électronique classique à haute tension (1000 kV) et à balayage (100 kV), par transmission. Compte tenu du diagramme de phases du système binaire V-Si, l'analyse a permis de penser qu'il s'agissait de V5Si3. Ce résultat a été confirmé par microdiffraction électronique en faisceau convergent.
Abstract
The analysis of a precipitate in V3Si (A15 structure) has been performed by transmission EELS with a HVEM (1000 kV) and with a STEM (100 kV). Taking into account the phase diagram of the V-Si system, the composition V5Si3 is anticipated. This result has been confirmed by convergent beam electron microdiffraction.