| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-657 - C2-660 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19842153 | |
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-657-C2-660
DOI: 10.1051/jphyscol:19842153
Laboratoire d'Optique Electronique du C.N.R.S., 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse Cedex, France
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-657-C2-660
DOI: 10.1051/jphyscol:19842153
MICRO-ANALYSE DE CRISTAUX EN CROISSANCE SUR UNE SURFACE DE SILICIUM
J. Beauvillain, A. Claverie, Y. Kihn, J. Sevely et B. JouffreyLaboratoire d'Optique Electronique du C.N.R.S., 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse Cedex, France
Résumé
Sur une surface de silicium, préalablement polie, chauffée dans un microscope électronique, nous avons fait croître des cristaux que nous avons observés et analysés.
Abstract
Crystals were grown on a polished silicon surface by heating in an electron microscope column. These crystals and their growths were studied by TEM and analysed by EELS, revealing structure and composition.