| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-13 - C2-16 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984203 | |
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-13-C2-16
DOI: 10.1051/jphyscol:1984203
A MONTE CARLO SIMULATION APPROACH TO THIN FILM ELECTRON MICROPROBE ANALYSIS BASED ON THE USE OF MOTT SCATTERING CROSS-SECTIONS
K. Murata1, S. Cvikevich2 et J.D. Kuptsis31 Univ. of Osaka Prefecture, Sakai Osaka, 591 Japan
2 IBM East Fishkill, Hopewell Junction, New York 12533, U.S.A.
3 IBM Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598, U.S.A.
Résumé
L'analyse de films minces par EPMA a été effectuée en utilisant une simulation Monte-Carlo basée sur les sections efficaces de Mott pour la diffusion élastique. Les sections efficaces pour divers éléments sont déduites de celles de quelques éléments comme Al, Cu, Ag et Au par interpolation ou extrapolation. Un bon accord entre des rapports k expérimentaux et calculés a été obtenu pour des films de Pt sur Si, Pt sur Au, Mo sur Si et Al sur Si. Ce nouveau modèle de simulation est appliqué à des films d'alliages ternaires de CuPdAu et discuté en comparaison avec les résultats expérimentaux.
Abstract
EPMA thin film analysis has been performed using a Monte Carlo simulation which is based on the Mott cross sections for elastic scattering. The cross sections for various elements are derived from those for only a few elements such as Al, Cu, Ag and Au with interpolation or extrapolation. Good agreement between simulated and experimental k-ratios was obtained for films of Pt on Si, Pt on Au, Mo on Si and Al on Si. The new simulation model is applied to ternary alloy films of CuPdAu and discussed in comparison with experimental results.