RAPID ISOTHERMAL ANNEALING OF ION IMPLANTED SILICON DEVICES BY UNIFORM LARGE AREA IRRADIATION WITH A NEW ELECTRON BEAM SYSTEM

Résumé
On a préparé des diodes ayant de bonnes caractéristiques électriques par recuit isothermique rapide de silicium 100 lourdement dopé par implantation de P⁺ et As⁺. Les traitements thermiques ont été effectués en irradiant d'une manière uniforme la surface postérieure des échantillons avec un canon électronique de nouvelle conception. La redistribution des impuretés est grandement réduite, en comparaison avec un traitement thermique traditionnel à 1000°C pour 30 min. Enfin, les mesures de capacité-tension effectuées sur des structures MOS ont montré que ce traitement ne provoque pas de défauts dans l'oxyde quand on irradie la surface postérieure.

Abstract
Rapid isothermal annealing of P or As layers heavily implanted in <100> Si wafers has been carried out by using a new electron beam system. Diodes with good electrical characteristics have been fabricated by irradiating the wafers on the back-side to a suitable thermal cycle. The impurity redistribution is greatly reduced as compared to conventional furnace annealing (1000°C, 30 min). Finally C-V measurements on MOS structures show that this technique does not cause significant oxide damage when the irradiation is performed on the back-side of the wafer.