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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-175 - C5-177 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983527 | |
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-175-C5-177
DOI: 10.1051/jphyscol:1983527
1 Groupe de Physique des solides de l'E.N.S. , Université Paris VII, Tour 23, 2 place Jussieu, 75251 Paris Cedex 05, France
2 Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del I.P.N., Departamento de Ingeneria Electrica, Apartado Postal 14-740, 07000 Mexico D.F., Mexico
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-175-C5-177
DOI: 10.1051/jphyscol:1983527
ON THE GROWTH FROM THE AMORPHOUS PHASE IN SEMICONDUCTORS
J.C. Bourgoin1 et R. Asomoza21 Groupe de Physique des solides de l'E.N.S. , Université Paris VII, Tour 23, 2 place Jussieu, 75251 Paris Cedex 05, France
2 Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del I.P.N., Departamento de Ingeneria Electrica, Apartado Postal 14-740, 07000 Mexico D.F., Mexico
Résumé
On développe un modèle de croissance d'une phase ordonnée basé sur la diffusion des lacunes thermiques produites à l'interface avec l'amorphe. Il fournit pour Ge et Si la dépendance exacte du taux de croissance pour les couches évaporées et les couches implantées avec la température, l'état de l'orientation cristallin, le dopage, l'ionisation et la nature des ions implantés.
Abstract
A model of growth based on the diffusion of thermally generated vacancies to the interface is developed which provides the exact dependence of the growth rate with temperature, crystalline orientation, doping, ionisation and nature of implanted ions in evaporated as well as implanted layers, for both Ge and Si.