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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-171 - C5-174 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983526 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-171-C5-174
DOI: 10.1051/jphyscol:1983526
LASER AND ELECTRON BEAM ENHANCED CRYSTALLIZATION OF Si AND Ge
R. Andrew et M. WauteletIRIS Mons, Facultés des Sciences, Université de l'Etat, Av. Maistriau 23, 7000 Mons, Belgium
Résumé
On montre que le taux de nucléation et la vitesse de croissance cristalline sont très fortement accrus sous irradiations laser et électronique. Ceci est interprété comme résultant d'une somme d'effets thermiques et athermiques, qui modifient les paramètres de la diffusion des vecteurs de la transformation amorphe-cristal, à savoir les liaisons pendantes.
Abstract
It is shown that laser and electron beam irradiation of amorphous Ge and Si films results in much larger nucleation rate and growth velocity than under thermal annealing conditions. This is interpreted as due to a combination of thermal plus non-thermal mechanisms which modify the parameters involved in the diffusion of the vector of the amorphous to crystal transformation, i.e. the dangling bonds.