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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-157 - C4-161 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983419 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-157-C4-161
DOI: 10.1051/jphyscol:1983419
OPTICAL ABSORPTION STUDIES OF DISLOCATION INDUCED DEEP LEVELS IN InSb
V. Vignaud1 et J.L. Farvacque21 Laboratoire de Structure et Propriétés de l'Etat SolideL.A. 234 C.N.R.S., University des Sciences et Techniques de Lille, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France
2 Laboratoire de Structure et Propriétés de l'Etat Solide, University des Sciences et Techniques de Lille, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France
Résumé
L'absorption optique de l'antimoniure d'indium de type n ou p, plastiquement déformé, a été mesurée à T = 90K. On a étudié les dislocations 60° introduites par compression uniaxiale, et les dislocations vis introduites par torsion. Dans les deux cas, on observe un décalage de l'absorption interbandes vers des énergies plus faibles. Ce décalage dépend d'une part du taux de déformation, et donc de la densité de dislocations, d'autre part du type et de la densité des porteurs libres dans le matériau avant déformation. Ces résultats sont interprétés en supposant que les transitions optiques partent du niveau effectif des dislocations vers les bandes de valence ou de conduction. Un calcul autocohérent du niveau effectif de la dislocation, qui dépend de son taux d'occupation, montre un accord quantitatif avec les valeurs expérimentales.
Abstract
Optical absorption experiments have been carried out on plastically deformed, n- and p-type indium antimonide, at T = 90K. Both 60° and screw dislocations were investigated, the first ones by means of uniaxial compression, the second ones by means of torsion experiments. Measurements show in any case a shift of the band edge towards shorter energy, which shift exhibits large dependence on i) the strain rate, and thus the dislocation density, ii) the type and density of free carriers of the material before deformation. These results are interpreted by assuming that optical transitions occur from the effective dislocation states to the conduction or valence band states. This view is quantitatively supported by self-consistent calculations of the effective dislocation level, which depends on its occupation rate.