| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C5-453 - C5-453 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982553 | |
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-453-C5-453
DOI: 10.1051/jphyscol:1982553
1 Laboratoires de Marcoussis, Centre de Recherches de la C.G.E., Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France
2 Laboratoires de Marcoussis, Centre de Recherches de la C.G.E., Route de Nozay, 9 1460 Marcoussis, France
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-453-C5-453
DOI: 10.1051/jphyscol:1982553
EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE DE DOUBLES HETEROSTRUCTURES LASER In1-xGaxAsyP1-y/InP (x ≈ 0,5y, y ≈ 0,9) EMETTANT AU VOISINAGE DE 1,55µm ET CARACTERISEES PAR UNE FAIBLE DENSITE DE COURANT DE SEUIL
J.P. Jicquel1, A. Perronnet2, H. Lebled1, M. Matabon1 et J. Benoit11 Laboratoires de Marcoussis, Centre de Recherches de la C.G.E., Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France
2 Laboratoires de Marcoussis, Centre de Recherches de la C.G.E., Route de Nozay, 9 1460 Marcoussis, France
Résumé
Cette communication est relative aux problèmes liés à la croissance de doubles hétérostructures laser In1-xGaxAsyP1-y/InP (x ≈ 0,5y, y ≈ 0,9) émettant à une longueur d'onde voisine de 1,55 µm et caractérisées par de faibles densités de courant de seuil (J < 1,5 kA/cm2). On sait que la réalisation de telles structures se heurte principalement au problème de redissolution de la couche active de faible teneur en phosphore par la solution de la couche de confinement.