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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
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| Page(s) | C5-393 - C5-399 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982544 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-393-C5-399
DOI: 10.1051/jphyscol:1982544
GROWTH OF InP-EPITAXIAL LAYERS : A COMPARISON BETWEEN MOVPE- AND VPE-TECHNIQUES
K.W. Benz1, H. Haspeklo1 et R. Bosch21 Physikalisches Institut, Kristallabor, Universität Stuttgart, D-7000 Stuttgart-80, F.R.G.
2 Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik, D-7800 Freiburg, F.R.G.
Résumé
La croissance de InP par MOVPE à partir de triméthylindium-triméthylphosphane (CH3) 3In-P(CH3)3, d'un porteur organométallique et de phosphane P(CH3) 3est présentée. La température de croissance variait de 500°C à 6800°. La vitesse de croissance était de l'ordre de 1 - 2 µm/h. Les résultats de ce procédé d'épitaxie sont comparés avec les résultats obtenus avec le système PCl3/In/H2. Enfin, des structures n+/n/n+ ont été utilisées pour la fabrication d'oscillateurs Gunn dans des fréquences allant jusqu'à 140 GHz.
Abstract
MOVPE growth of InP with trimethylindium-trimethylphosphane (CH3) 3In-P (CH 3) 3, a metalorganic adduct and phosphane P(CH3)3 are reported. The growth temperature was varied between 500 and 600°C. The growth rate is about 1 - 2 µm/h. The results of this epitaxial process are compared with results on the PCl3/In/H2-system. Finally n+/n/n+-structures are used for the fabrication of Gunn oscillators in the frequency range up to 140 GHz.