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J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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| Page(s) | C7-323 - C7-328 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981739 | |
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-323-C7-328
DOI: 10.1051/jphyscol:1981739
1 Zentralinstitut für Elektronenphysik der AdW der DDR, Berlin, Germany.
2 Institut fiziki AN USSR, Kiev, USSR.
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-323-C7-328
DOI: 10.1051/jphyscol:1981739
THE MULTIVALUED DISTRIBUTION OF ELECTRONS BETWEEN EQUIVALENT VALLEYS
M. Asche1, H. Kostial1 et O.G. Sarbey21 Zentralinstitut für Elektronenphysik der AdW der DDR, Berlin, Germany.
2 Institut fiziki AN USSR, Kiev, USSR.
Résumé
Dans le Si-n la distribution multiforme d'électrons chauds entre des vallées équivalentes conduit à la formation de domaines de haut champ en vertu de la conductivité négative différentielle du type N et de la formation de structure des couches avec des champs opposés de Sasaki pour des températures au-dessous de 50 K.
Abstract
In n-Si the multivalued distribution of hot electrons among the valleys (mde) leads to static high field domains on account of N-type ndc and to layers of opposite Sasaki fields for temperatures below 50 K.