SPIN EFFECTS IN ELECTRON TRANSITIONS VIA DISLOCATION STATES IN SILICON

Résumé
Nous discutons, dans ce papier, les résultats expérimentaux concernant la recombinaison dépendante du spin des porteurs de charge ainsi que de leur génération sur les dislocations dans le silicium. Nous proposons un modèle théorique tenant compte d'une interaction d'échange entre électrons pendants voisins. Ce modèle tient compte d'une part de la grande amplitude de cet effet et d'autre part de la variation en fonction de la température.

Abstract
Experimental results concerning spin-dependent recombination and generation of charge carriers at dislocations in silicon are discussed. A theoretical model taking into account an exchange interaction between neighbouring dangling electrons is considered. It is shown that this model can account for both the large magnitude of the effect and its temperature variation.