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J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C4, Avril 1979
3rd International Conference on the electronic structure of the actinides
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| Page(s) | C4-106 - C4-107 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979433 | |
J. Phys. Colloques 40 (1979) C4-106-C4-107
DOI: 10.1051/jphyscol:1979433
Single crystal and film growth of actinide pnictides by chemical vapour transport
G. Calestani, J.C. Spirlet et W. MüllerCommission of the European Communities, Joint Research Centre, European Institute for Transuranium Elements, Postfach 2266, D-7500 Karlsruhe 1, F.R.G.
Résumé
Des monocristaux et des couches minces de pnictides (As, Sb) d'actinides (Th, Pa, U) ont été préparés à partir des éléments par transport chimique en phase gazeuse en utilisant l'iode comme agent de transport. Les composés d'actinides sont déposés sur un support de tungstène chauffé par induction haute fréquence suivant le procédé van Arkel. Les températures de déposition sont comprises entre 1 000 et 2 200 °C selon le composé désiré. La température de la cellule de quartz est maintenue entre 400 et 600 °C. Les composés obtenus sont identifiés et caractérisés par diffraction des rayons X (Debye-Scherrer, cristal tournant, Weissenberg).
Abstract
Single crystals and films of actinide (Th, Pa, U) pnictides (As, Sb) were prepared from the elements, by chemical vapour transport using iodine as transporting agent. In a van Arkel process, the actinide compounds were deposited on an induction-heated tungsten support. Depending on the compounds, deposition temperatures ranged from 1 000 to 2 200 °C, whereas the quartz bulb was kept at 400 to 600 °C. The deposits were identified and characterized by X-ray diffraction (Debye-Scherrer, rotating crystal, Weissenberg) methods.