Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 39, Numéro C4, Juillet 1978
Vth International Conference on Vacuum Ultraviolet
Radiation Physics
Page(s) C4-149 - C4-160
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1978419
Vth International Conference on Vacuum Ultraviolet
Radiation Physics

J. Phys. Colloques 39 (1978) C4-149-C4-160

DOI: 10.1051/jphyscol:1978419

ANGLE RESOLVED PHOTOEMISSION FROM CLEAN SURFACES

Y. PETROFF

L.U.R.E., Université Paris-Sud, Bât. 209 C, 91405 Orsay Cedex, France


Résumé
Pendant longtemps les méthodes optiques ont été les seules employées pour obtenir des informations sur la structure de bandes. La photoémission angulaire qui est une amélioration d'une vieille technique est en train de devenir l'outil le plus puissant pour l'étude des niveaux électroniques. Nous ne parlerons ici que des états de volume. Des exemples sont donnés pour trois cas types : 1) Les matériaux lamellaires pour lesquels il est possible d'obtenir la dispersion des bandes d'énergie d'une manière simple a cause de la faible dispersion le long de kz. 2) Les semiconducteurs à trois dimensions tels que PbS et PbSe pour lesquels un modèle de densité d'états à une dimension permet d'expliquer les résultats expérimentaux et d'obtenir la dispersion le long de directions de haute symétrie. 3) Les métaux (Cu et Ni) : les résultats du cuivre, plus simple à cause de sa bande d complètement pleine, sont comparés à des calculs employant le formalisme de la diffraction d'électrons lents (DEL). Le problème des effets de corrélations est discuté brièvement. Enfin dans le dernier paragraphe nous rapportons la première observation d'un effet de résonance en photoémission.


Abstract
For a long time the informations about the band structure of solids were obtained only by optical measurements. Angle resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) which is a sophisticated refinement of an old technique has become a very powerful tool to get informations on the electronic levels. We limit our discussion to volume states. Examples are given for three cases : 1) Layers materials for which it is possible to map the bands in a very simple way due to the flatness of the bands along kz. 2) Three dimensional semiconductors as PbS and PbSe. For these an one dimensional density of states model explains very well the experimental data and allows also to obtain the dispersion along high symmetry lines. 3) Metals as Cu and Ni : in this case comparison is done with calculations using the L.E.E.D. formalism. The problem of correlation effects is shortly discussed. Finally a strong resonance effect observed for the first time in photoemission will be reported.