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J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C7, Décembre 1976
Second International Conference on Lattice Defects in Ionic Crystals / Seconde Conférence Internationale sur les Défauts de Réseau dans les Cristaux Ioniques
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| Page(s) | C7-471 - C7-475 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19767105 | |
J. Phys. Colloques 37 (1976) C7-471-C7-475
DOI: 10.1051/jphyscol:19767105
IONIC DEFECTS AND THEIR TRANSPORT IN KN3 AND RbN3
A.L. LASKAR1, D.L. FOSTER2 and K. WAGNER21 SRMP, C.E.N. de Saclay, France.
2 Department of Physics and Astronomy Clemson University, Clemson, SC 29631, U.S.A.
Résumé
La conductivité et la diffusion des cations dans RbN3 et KN3 ont été étudiées. En ce qui concerne KN3 l'enthalpie d'activation pour la formation de défauts est 1,60 eV, et celle pour la migration de défaut est 0,61 eV le long de l'axe c ; les valeurs correspondantes dans les plans de base sont 1,60 eV et 0,72 eV. L'enthalpie d'activation pour la diffusion du Na* dans KN3 est 1,40 eV pour le transport de la masse le long de l'axe c. L'enthalpie d'activation RbN3, pour la formation de défaut est 1,50 eV et celle pour la migration est 0,76. Les enthalpies d'activation pour la diffusion de Rb* dans RbN3, parallèles et normales à l'axe c sont respectivement 1,43 and 1,45 eV. La diffusivité le long de l'axe c est trois fois supérieure à celle dans la direction normale. Ceci indique une grande différence dans la fréquence des sauts et/ou dans les notions d'entropies impliquées dans le processus de déplacement le long des deux directions. Dans les deux cas, RbN3 et KN3, il semble que la structure défectueuse est du type Schottky et que les cations sont les principaux transporteurs.
Abstract
The electrical conductivity and the diffusion of cations in KN3 and RbN3 have been studied. For KN3, the activation enthalpy for defect formation is 1.60 eV and that for the defect migration is 0.61 eV along the c-axis ; corresponding values in the basal planes are 1.60 eV and 0.72 eV. The activation enthalpy for the Na* diffusion in KN3 is 1.40 eV for the mass transport along the c-axis. For RbN3, activation enthalpy for defect formation is 1.50 eV. and that for the migration is 0.76 eV. The activation enthalpies for the diffusion of Rb* in RbN3 parallel and normal to the c-axis are 1.43 and 1.45 eV respectively. The diffusivity along the c-axis is higher than that in the normal direction by a factor of three. This indicates large difference in the jump frequencies and/or entropy terms involved in the transport process along the two directions. For both RbN3 and KN3, it appears that the defect structure is Schottky type and the cations are the principal carriers.