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J. Phys. Colloques
Volume 35, Numéro C3, Avril 1974
Colloque sur les propriétés optiques des semiconducteurs à grande bande interdite
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| Page(s) | C3-287 - C3-288 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974341 | |
J. Phys. Colloques 35 (1974) C3-287-C3-288
DOI: 10.1051/jphyscol:1974341
MÉTHODE DE CALCUL DES FONCTIONS OPTIQUES A PARTIR DES MESURES DE PERTES CARACTÉRISTIQUES D'ÉNERGIE DES ÉLECTRONS APPLICATION AUX HALOGÉNURES DE THALLIUM
J. FRANDON, B. BROUSSEAU-LAHAYE and F. PRADALLaboratoire de Physique des Solides, Université Paul-Sabatier, 31077 Toulouse Cedex, France
Résumé
Nous présentons ici une méthode permettant de calculer les fonctions optiques dans un domaine d'énergie assez étendu, par la mesure des pertes caractéristiques d'énergie des électrons. Cette méthode est particulièrement appropriée aux solides ayant un gap supérieur à la résolution expérimentale qui est de l'ordre de 1 eV. Nous donnerons une application de cette méthode au cas des halogénures de thallium. Les détails du calcul et la discussion des résultats ont été publiés par ailleurs [l], [2].
Abstract
We describe a method for obtaining the optical constants (longitudinal dielectric constant, normal reflectivity, etc...) of large gap isotropic semiconductors, from electron energy loss spectra by means of Kramers-Kronig analysis. This method is applied to thallous halides, which have a semiconductor like property together with that of ionic crystals. The validity of the method has been proved for other compounds (CaF2, SrF2, BaF2) by the comparison of our results with available reflectance data obtained with synchrotron radiation.