Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 34, Numéro C9, Novembre 1973
Défauts de réseau dans les cristaux ioniques / Lattice defects in ionic crystals
Page(s) C9-341 - C9-346
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973960
Défauts de réseau dans les cristaux ioniques / Lattice defects in ionic crystals

J. Phys. Colloques 34 (1973) C9-341-C9-346

DOI: 10.1051/jphyscol:1973960

ASPECTS STRUCTURAUX DES DISLOCATIONS
ANISOTROPIC OPTICAL ABSORPTION IN DEFORMED MgO

T. J. TURNER and T. E. SCHULTHEISS

Department of Physics, Wake Forest University, Winston-Salem, North Carolina, USA


Résumé
La principale bande d'absorption optique produite dans MgO par déformation a été trouvée constituée de deux parties, désignées bandes δ et ε, absorbant à 5,82 et 5,65 eV respectivement. On suppose que ces bandes sont créées par le même type de transition excitonique avec des perturbations différentes. Sous irradiation X le centre ε capture un électron, produisant un centre E qui absorbe à 4,07 et 5,17 MeV. Lorsqu'un seul système de glissement opère dans le processus de déformation, l'absorption E est dichroïque à 100 % indiquant la symétrie < 100 > du centre. L'axe du défaut est compatible avec l'idée que les défauts sont dus à des lacunes produites par des crans dans des dislocations-vis. Des données de traitements thermiques isochroniques sont discutées ainsi que des modèles possibles pour ces centres.


Abstract
The prominent optical absorption band produced in MgO by deformation has been found to be made up of two parts designated δ and ε bands absorbing at 5.82 and 5.65 eV, respectively. These bands arc presumed to arise from the same type of excitonic transition with different perturbations. Upon x-irradiation the ε center is found to capture an electron producing an E center which absorbs at both 4.07 and 5.17 eV. When only one slip system was operative in the deformation process the E absorption was found to be 100 % dichroic indicating <100> symmetry for the center. The defect axis is consistent with the view that the defects result from vacancies produced by jogs in screw dislocations. Isochronal annealing data as well as possible models for these centers are presented.