ANALYSIS OF ELECTRONIC STRUCTURE USING EMPIRICAL PSEUDOPOTENTIALS

Résumé
La structure de bandes d'énergie de plusieurs polytypes de SiC a été calculée par une méthode utilisant un pseudo-potentiel empirique (EPM). L'application de cette méthode à SiC est donnée en exemple d'illustration des possibilités futures d'obtenir les bandes pour des structures complexes. On rapporte des tentatives de représentation des bandes d'énergie, calculées à l'aide d'EPM pour Al, Si et GaAs, par un développement en ondes planes symétrisées dans toute la zone de Brillouin. Des ajustements obtenus par la méthode des moindres carrés, avec ou sans contraintes additionnelles, sont discutés. Les déviations moyennes tombent à 0,01 Ry lorsqu'on utilise 30 termes. On n'a pas trouvé de procédé pour éliminer les oscillations parasites introduites par cette méthode.

Abstract
Electronic band structures of several polytypes of SiC have been calculated using an empirical pseudopotential method (EPM). The application of the method to SiC is taken as an example to illustrate the future possibilities of obtaining band structures for complicated structures. Attempts are described to fit EPM computed energy bands in Al, Si and GaAs to an approximation consisting of an expansion of symmetrized plane waves throughout the whole Brillouin zone. Least squares fits, with and without extra constraints, are discussed. Average deviations go down to 0.01 Ry at 30 terms in such an expansion. No way has been found to eliminate the unwanted oscillations introduced in the representations by this particular method.