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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-453 - C4-456 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988496 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-453-C4-456
DOI: 10.1051/jphyscol:1988496
VERY LOW RESISTIVITY AuMn GATE OHMIC CONTACTS FOR GaInAs DIFFUSED JFETs
P.E. HALLALI, P. BLANCONNIER, L. BRICARD et J-C. RENAUDCentre National d'Etudes des Télécommunications, Laboratoire de Bagneux, 196, Av. Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
Résumé
Tant pour les transistors à effet de champ à jonction que pour les transistors bipolaires à hétérojonction de la famille GaInAs/InP, l'obtention de contacts ohmiques de type P à faible résistivité est une étape particulièrement critique en raison de la forte hauteur de barrière Schottky sur ces matériaux. La réalisation d'un surdopage p+ par diffusion de Zn en boîte semi-fermée ainsi que l'utilisation de l'alliage MnAu ont permis de résoudre ces problèmes : une résistivité de contact aussi faible que 10-7 Ω cm2 a en effet pu être obtenue.
Abstract
For GaInAs/InP junction field effect transistors as well as heterojunction bipolar transistors, the achievement of very low resistivity P type ohmic contact is a very critical step because the Schottky barrier height on these materials is quite high. The realization of a highly doped P+ layer by Zn diffusion in a semi-closed box and the use of MnAu alloy contact have allowed to solve these difficulties : in fact, a contact resistivity as low as 10-7 Ω cm2 has been obtained.