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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C9, Décembre 1984
31st International Field Emission Symposium / 31ème Symposium International d'Emission de Champ
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| Page(s) | C9-191 - C9-196 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984932 | |
J. Phys. Colloques 45 (1984) C9-191-C9-196
DOI: 10.1051/jphyscol:1984932
DEVELOPMENT OF BORON AND PHOSPHORUS LIQUID-METAL-ION SOURCES
T. Ishitani, K. Umemura, Y. Kawanami et H. TamuraCentral Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji, Tokyo 185, Japan.
Résumé
Des sources d'ions à métal liquide (LMIS) de (B) et (P) ont été développées pour l'implantation sans masque dans le silicium. La source de (B) qui emploie un émetteur de carbone ou de carbure et un alliage à base de Ni-B a une durée de vie de plus de 250 heures. La source de (P) utilisant l'alliage Cu-P permet plus de 20 heures de fonctionnement. Les ions issus de ces sources sont analysés en masse et en énergie. Des effets isotopiques ont été observés pour l'émission ionique de B. Des essais préliminaires d'implantation de B+ dans Si ont été entrepris en utilisant une colonne ionique avec séparateur de masse.
Abstract
Boron (B) and phosphorus (P) liquid-metal-ion (LMI) sources have been developed for maskless implantation in silicon. The B-LMI source, which employs a carbon or carbide emitter and a Ni-B base alloy as its source material, has a life time of more than 250 hours. The P-LMI source utilizing a Cu-P alloy achieves a life time of more than 20 hours. The ions emitted from these sources are investigated by mass and energy analyses. Isotope effect has been observed for B ion emission with a B-LMI source. Focused B+ implantation in Si was preliminarily carried out using a mass-separated microbeam column.