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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C5, Avril 1984
International Conference on the Dynamics of Interfaces / Conférence Internationale sur la Dynamique des Interfaces
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| Page(s) | C5-449 - C5-453 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984567 | |
J. Phys. Colloques 45 (1984) C5-449-C5-453
DOI: 10.1051/jphyscol:1984567
ELECTRONIC STRUCTURE OF Pd ON Nb(110) INTERFACE
V. Kumar et K.H. BennemannInstitut für Theoretische Physik, Freie Universität Berlin, Arnimallee 14, D-1000 Berlin 33, F.R.G.
Résumé
A l'aide d'une méthode de liaisons fortes self-consistente, les densités d'états locales électroniques ont été calculées pour l'adsorption de Pd sur Nb(110), avec un taux de recouvrement θ variant de 0,25 à deux monocouches. Les résultats sont utilisés pour comprendre la transition structurale commensurable-incommensurable au voisinage de θ = 1 et les changements qui en découlent pour l'absorption de l'hydrogène. Les résultats de nos calculs sont en accord excellent avec les données de la photoémission angulaire.
Abstract
Local electronic density of states have been calculated using a self-consistent tight-binding scheme for Pd coverages (θ) ranging from 0.25 to two monolayers on Nb (1l0). These results are used to understand the commensurate-incommensurate structural transformation near θ = 1 and the resultant changes in the hydrogen uptake. Results of our calculations are in excellent agreement with the angle resolved photoemission data.