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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C5, Avril 1984
International Conference on the Dynamics of Interfaces / Conférence Internationale sur la Dynamique des Interfaces
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| Page(s) | C5-441 - C5-447 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984566 | |
J. Phys. Colloques 45 (1984) C5-441-C5-447
DOI: 10.1051/jphyscol:1984566
CONTRIBUTION OF THE DEFECTS TO THE ELECTRONIC PROPERTIES OF THE METAL SEMICONDUCTOR INTERFACE
P. Langlade1 et P. Masri21 Laboratoires d'Electronique et de Physique Appliquée, 3 avenue Descartes, 94450 Limeil Brévannes, France
2 Laboratoire d'Etudes des Surfaces, Interfaces et Composants, U.R. n° 1022- associée au CNRS, U.S.T.L., Place E. Bataillon, 34060 Montpellier, France
Résumé
Le contact métal-semiconducteur joue un rôle essentiel dans les propriétés des circuits électroniques à semiconducteur. Des progrès récents dans ce domaine montrent que les propriétés électriques sont contrôlées par des états d'interface, apparaissant dès les premiers stades de la métallisation. Dans ce contexte, nous avons étudié l'influence des lacunes de surface sur les propriétés de l'interface de façon self consistante dans le modèle moléculaire après avoir caractérisé en détail la surface idéale. Nous montrons que le barycentre des états associés aux lacunes III et V a tendance à se déplacer du bas de la bande interdite vers le haut en fonction de l'ionicité du composé. Ce résultat est comparé à la relation existant entre l'ancrage du niveau de Fermi par l'absorption métallique et l'ionicité du composé.
Abstract
The metal-semiconductor contact plays an essential role in the properties of semiconductor devices. Recent progress in this field show that the electronic properties are controlled by the interface states, which appear during the first stages of metallization. In this context, we have studied the influence of the (110) surface vacancies on the properties of the interface in a self consistent way within the molecular model framework after the characterization of the ideal (110) surface. We show that the barycenter of the levels associated with the V and III vacancies has a tendency to move towards the upper part of the forbidden gap as ionicity of the compound increases. This result can be compared to the existing relation between the pinning of the Fermi level by a metallic adsorption and the compound's ionicity.