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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-307 - C5-311 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983546 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-307-C5-311
DOI: 10.1051/jphyscol:1983546
ELECTRON SPIN RESONANCE INVESTIGATION OF THE EFFECTS OF THE H2+ IMPLANTATION AND DIFFUSION ONE THE LASER INDUCED DEFECTS IN VIRGIN SILICON
A. Goltzene1, B. Meyer1, C. Schwab1, J.C. Muller2 et P. Siffert21 Laboratoire de Spectroscopie et d'Optique du Corps Solide, Associé au CNRS N° 232, Université Louis Pasteur, 5, rue de l'Université, 67000 Strasbourg, France
2 Centre de Recherches Nucléaires, Laboratoire PHASE, 67037 Strasbourg Cedex, France
Résumé
La résonance paramagnétique électronique des défauts produits par le recuit laser, à des densités de puissance élevées (2 J/cm-2) a été étudiée dans le silicium semi-isolant non dopé, obtenu par croissance en zone flottante. Aucun effet n'est observé sur la raie à gx = 2,0055 ± 0,0005, après implantation de H2+, après diffusion de l'hydrogène. Ceci est en accord avec l'attribution de X à des liaisons pendantes créées par des contraintes mécaniques pendant le choc thermique. En effet, on sait que ces défauts ne sont pas passives par l'hydrogène moléculaire.
Abstract
Electron paramagnetic resonance of the defects induced by laser annealing at high power density (2 J/cm-2) has been investigated in virgin FZ semi-insulating Silicon. A further H2+ implantation and diffusion is inactive on the signal observed at gx = 2.0055 ± 0.0005. This is consistent with the attribution of X to the dangling bonds, created by the mechanical stresses during the thermal shock, as they are not passivated by molecular hydrogen.