| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C5-313 - C5-317 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983547 | |
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-313-C5-317
DOI: 10.1051/jphyscol:1983547
1 Istituto di Fisica-Facoltà di Ingegneria, Università di Roma, and GNSM of CNR, Italy
2 Istituto di Fisica-Facoltà di Ingegneria, 2, Università di Roma and GNEQP of CNR, Roma, Italy
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-313-C5-317
DOI: 10.1051/jphyscol:1983547
LOW POWER LASER ANNEALING EFFECTS IN α-Ge
U. Zammit, M. Marinelli, G. Vitali1 et F. Scudieri21 Istituto di Fisica-Facoltà di Ingegneria, Università di Roma, and GNSM of CNR, Italy
2 Istituto di Fisica-Facoltà di Ingegneria, 2, Università di Roma and GNEQP of CNR, Roma, Italy
Résumé
On présente des résultats expérimentaux qui montrent l'influence des gradients de température pour l'obtention de la recristallisation de α-Ge, dérangée par implantation ionique au moyen du faisceau pulsé d'un laser à rubis à basse densité de puissance.
Abstract
Some experimental results are reported which show the influence of temperature gradients for recovering in low power laser annealing of amorphous Ge. The results suggest that temperature gradients enhance the crystallization process.