PROBLEM RELATED TO THE MBE GROWTH AT HIGH SUBSTRATE TEM0PERATURE FORGaAs-Ga_1-xAl_xAs DOUBLE HETEROSTRUCTURE LASERS

Résumé
L'épitaxie par jets moléculaires à forte température du substrat(T_S ≈ 600°C) est désormais de plus en plus utilisée pour obtenir des couchesde GaAs et Ga_1-xAl_xAs avec de bonnes propriétés électriques et optiques.Dans le cas des doubles hétérostructures lasers, l'optimisation du courant deseuil est obtenue en augmentant TS ; la valeur optimale que nous avons obtenueest de 1,5KA/cm² une épaisseur de couche active de 0,16 µm. Cependantau-delà d'une valeur critique de T_S d'environ 670°C, nous avons observé uneaugmentation de J_s puis une disparition de l'émission laser. Cet effet estcorrelé à un problème particulier de la croissance MBE à très forte températurequi sera étudié.

Abstract
The MBE growth at high substrate temperature (T_S ≈ 600°C) is now often used to obtain GaAs and Ga_1-xAl_xAs layers with improved electrical and optical properties. In the case of GaAs-Ga_1-xAl_xAs DH lasers, the optimisation of the threshold current density is obtained for increasing T_S ; the ultimate value we reached is l,5KA/cm² for an active layer thickness of 0,16µm However above a critical value of T_S ≈ 670°C, an increase of J_th is observed until a non laser emission. This behaviour is related to a specific problem of MBE growth at extremely high substrate temperature, that will be described.